以石墨负极为例，电池的最佳存储电压是依据正极的活性物质来定的，比如：钴酸锂一般在3.86V左右、111的三元在3.65V，铁锂在3.2V，锰酸锂在4.0V； 笼统来讲，电压越高，正负极的反应活性越强，副反应就会增多，所以高电压一般不推荐；电压越低，容量少，不利于长时间存储，所以也不推荐； 为什么要选如上的电压范围呢，前三种材料是由反应平台决定的，前三种材料在上述电压位置反应峰面积最大，所以在这个电压附近存储是最稳定的，大家可以用循环伏安法来验证； 锰酸锂是个特例，为什么要选择4.0V，主要是由锰酸锂的特性决定的，这里指的锰酸锂是尖晶石的，里面含有3价锰，会发生歧化反应， 我做过实验，4.0V附近是最佳的存储电压，因为这个时候电压不是很高，正极三价锰大部分转化成了4价，歧化反应大大减少，从而出现在高压4.0V存储反而是最好的； 其实这四种材料，在相变平台方面，除了铁锂是典型的两相转变外，其余几种材料在充放电过程中相变均不明显，并不是由一相转化为另外一相，而是有两相或者多相共存； 所以呢，铁锂的平台也是很平很平的，因为平台与相变焓是直接关联的，有相变的地方就会有电压平台，而铁锂是两相转变，电压平台就很平； 其余三种材料相变均不是很明显，没有一个特定的相变平台，但是还是存在相变，例如钴酸锂在锂离子脱出时在3.86V左右有一个反应峰，被认为是相变平台； 三元材料在3.65V左右有相变平台，而尖晶石锰酸锂材料会在4.05V、3.90V、3.0V左右出现相变平台；在全电池里面可能会发生漂移。 总之，反应峰面积大的地方，存储相对是要稳定一些，存储时间也会长一些